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Molex代理商代理超低功率存储器技术

文章出处:未知 人气:发表时间:2022-01-13 14:19
DDR3 DIMM内存模块插槽可满足日益增长的高密度应用需求。
 全球领先的完整互连产品供应商nMolex宣布推出气动DDR3 DIMM插座和超低边高DDR3 DIMM内存模块插座产品组合,这两款产品均适用于电信、网络和存储系统、高级计算平台、工业控制和医疗设备中要求苛刻的内存应用。
 
DDR3是为支持800 -1600 Mbps的数据速率和400-800 MHz的频率而开发的DDR DRAM接口技术。数据速率是DDR2接口的两倍。在1.5V的标准工作电压下,DDR3的功耗比DDR2降低了30%。

Molex代理商的DDR3 DIMM插座的底面比标准设计的要低。在ATCA刀片系统中,可以使用最大基础高度小于2.80毫米的极低侧面高度模块。

新的DDR3 DIMM插座还具有10mω的低电平接触电阻,因此可以在刀片式服务器中使用注册的DIMM模块并降低功耗。
 
 Molex代理商的产品经理Douglas Jones表示:随着对更高带宽的需求持续增长,能够以更快的速度传输数据而不牺牲宝贵的空间或功率至关重要。有了DDR3 DIMM插槽,我们的客户不仅可以充分利用最高性能的存储
互连的优点,还可以保持或减小现有封装尺寸和降低功耗。
 
Molex空气动力学DDR3 DIMM插座具有流线型外壳和锁定设计,可最大限度地增加空气流量并消除运行过程中积聚的热空气。人体环境的锁定设计,可以实现快速动作,轻松拆卸高密度存储模块。2.40 mm的低底面优化了垂直空间,可以更灵活地设计插座模块的高度。气动DDR3 DIMM插座用于14.26 mm的极低侧高压连接、22.03 mm的低侧高压连接、21.34 mm的低侧高SMT和14.20 mm的极低侧高SMT,与标准压接端子相比,这些压接插座的针孔顺应引脚更小,有效节省宝贵的PCB空间,适用于高密度电子电路设计。Molex所有气动DDR3 DIMM插座均符合RoHS标准,SMT型号不含卤素。
 
Molex代理商超低边高DDR3 DIMM插座的底座高度只有1.10mm,为行业最低。插座在印刷电路板上提供高达20.23毫米的垂直空间,用于安装高密度内存。适用于满足ATCA电路板机械规格的应用,要求前PCB板一侧元器件高度不超过21.33 mm超低边高DDR3 DIMM插座的闭合
锁的作用角度小,所需的PCB空间比标准DIMM少,不仅提高了气流,还实现了更紧密的组件安装。新的无卤插座有玻璃填充的高温尼龙外壳和锁定装置,可以通过波峰焊和高温红外回流焊进行操作。
 

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